[发明专利]钙钛矿太阳能电池及其生产方法在审
| 申请号： | 201680068270.3 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108521829A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 崔万秀;尹熙太;姜圣民;安男泳;李种权 | 申请（专利权）人： | 多次元能源系统研究集团;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 江侧燕 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明的钙钛矿太阳能电池具有在第一电极上的电子传输层，所述电子传输层包括富勒烯或富勒烯衍生物，所述第一电极包括透明导电性材料。另外，根据本发明的钙钛矿太阳能电池不包括阻挡层，例如BCP，因此可以显示出得到改进的电子迁移率，并且因为富勒烯或富勒烯衍生物自身可以起到阻挡层的作用，所以可以通过更快速的生产工艺来生产高效率的钙钛矿。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 太阳能电池 富勒烯衍生物 电子传输层 第一电极 富勒烯 阻挡层 透明导电性材料 电子迁移率 高效率 生产工艺 生产 改进 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿太阳能电池，包括：第一电极，所述第一电极包括透明导电性基板；电子传输层，所述电子传输层直接形成在所述第一电极上，并且包括厚度为20nm或更大的富勒烯或富勒烯衍生物层；钙钛矿层，所述钙钛矿层直接形成在所述电子传输层上；空穴传输层，所述空穴传输层形成在所述钙钛矿层上；和第二电极，所述第二电极形成在所述空穴传输层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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