[发明专利]包含氧化膦化合物的有机半导体层有效
| 申请号： | 201680068444.6 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108431980B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 沃洛季米尔·森科维斯基 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K85/60 | 分类号： | H10K85/60;H10K50/16;H10K50/165;H10K50/17;H10K50/85;C07F9/50;C07F9/53 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郭国清;穆德骏 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种有机半导体层、有机半导体层中所包含的氧化膦化合物，并且涉及包含这些层和化合物的有机电致发光器件，所述有机半导体层是电子传输层和/或电子注入层和/或n型电荷产生层，所述有机半导体层包含至少一种式(1)的化合物 |
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| 搜索关键词： | 包含 氧化 化合物 有机半导体 | ||
【主权项】：
1.有机半导体层，所述有机半导体层是电子传输层和/或电子注入层和/或n型电荷产生层，所述有机半导体层包含至少一种式(1)的化合物![]()
其中R1和R2各自独立地选自C1至C16烷基；Ar1选自C6至C14亚芳基或C3至C12亚杂芳基；Ar2独立地选自C14至C40亚芳基或C8至C40亚杂芳基；R3独立地选自H、C1至C12烷基或C10至C20芳基；其中Ar1、Ar2和R3中的每一个可各自独立地是未取代的或被至少一个C1至C12烷基基团取代的；n是0或1；并且在n＝0的情况下，m是1；并且在n＝1的情况下，m是1或2。
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