[发明专利]减少光刻工艺中掩模版的加热和/或冷却的影响的方法有效
| 申请号： | 201680068476.6 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN108292105B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | N·肯特;M·J·H·吕蒂克霍夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王静 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及减少光刻工艺中的掩模版加热和/或冷却的影响的方法，包括步骤：使用系统辨识方法来校准线性时不变掩模版加热模型；使用所述掩模版加热模型和光刻工艺中的输入来预测掩模版的变形；和基于所预测的掩模版的变形来计算和应用光刻工艺中的校正。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 工艺 模版 热和 冷却 影响 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少光刻工艺中掩模版的加热和/或冷却的影响的方法，包括步骤：使用系统辨识方法来校准线性时不变掩模版加热模型；使用所述掩模版加热模型和光刻工艺中的输入预测光刻设备中的掩模版的变形；和基于掩模版的所预测的变形来计算和应用光刻工艺中的校正。
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