[发明专利]磁阻效应元件、磁存储器、磁化反转方法及自旋流磁化反转元件有效
| 申请号： | 201680068515.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108292702B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H03B15/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁存储器 磁化 反转 方法 自旋 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化的方向的第一铁磁性金属层、磁化的方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；以及自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与所述第二铁磁性金属层接合，在所述磁阻效应元件和所述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于所述磁阻效应元件的电流和流通于所述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
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