[发明专利]可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构有效
| 申请号： | 201680068533.0 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108475725B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朱健;诺真·杰;李元仁;刘焕龙;童儒颖;王柏刚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/16;H01F10/32;H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构、一种磁性穿隧接面以及一种形成磁性穿隧接面的方法，其中，可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构，包括：(a)一第一层，其由具有一第一键能的材料所制成，并具有一第一表面，该第一表面具有一“刚沉积的”第一峰间粗糙度；以及(b)一上面的第二层，其为非晶或纳米晶，并由具有大于该第一键能的一第二键能的材料所制成，使得该上面的第二层的沉积导致该第一层的再溅镀，以得到具有一第二峰间粗糙度的一第二表面的一第一层，该第二峰间粗糙度小于该“刚沉积的”的第一峰间粗糙度，该上面的第二层形成于该第二表面上，该上面的第二层具有一第三表面，该第三表面具有该第二峰间粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 磁性 装置 薄膜 粗糙 多层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种可降低磁性装置的薄膜粗糙度的多层结构，其特征在于，包括：(a)一第一层，其由具有一第一键能的材料所制成，并具有一第一表面，该第一表面具有一“刚沉积的”第一峰间粗糙度；以及(b)一上面的第二层，其为非晶或纳米晶，并由具有大于该第一键能的一第二键能的材料所制成，使得该上面的第二层的沉积导致该第一层的再溅镀，以得到具有一第二峰间粗糙度的一第二表面的一第一层，该第二峰间粗糙度小于该“刚沉积的”的第一峰间粗糙度，该上面的第二层形成于该第二表面上，该上面的第二层具有一第三表面，该第三表面具有该第二峰间粗糙度。
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