[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器

摘要

本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1‑x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm‑3m或Fd‑3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm‑3m的对称性的立方晶结构。

主权项

1.一种自旋流磁化反转元件，其特征在于，具备：磁化方向可变的第一铁磁性金属层；以及自旋轨道转矩配线，其沿着相对于作为所述第一铁磁性金属层的法线方向的第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，所述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1‑x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，所述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，所述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素且为具有空间群Pm‑3m或Fd‑3m的对称性的立方晶结构；或者，所述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，所述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素且为具有空间群Fm‑3m的对称性的立方晶结构。