[发明专利]自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器有效
| 申请号： | 201680068794.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108292705B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;及川亨 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H03B15/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁化 反转 元件 磁阻 效应 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋流磁化反转元件，其具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层；以及自旋轨道转矩配线，其向与所述第二铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸，且接合于所述第二铁磁性金属层，所述自旋轨道转矩配线层的、接合于所述第二铁磁性金属层的接合部分的自旋电阻比所述第二铁磁性金属层的自旋电阻大。
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