[发明专利]通过集成工艺流程系统形成低电阻触点的方法在审
| 申请号： | 201680069176.X | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108431924A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 雷雨;维卡什·班西埃;吴凯;傅新宇;徐毅;大东和也;马飞跃;普及特·阿咖瓦;林驰筹;吴典晔;简国强;唐薇;薇·V·唐;乔纳森·巴克;森德·拉马默蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫层 基板暴露 沉积 等离子体 介电层 基板 卤化 工艺流程系统 金属有机钨 前驱物气体 处理基板 处理腔室 第二基板 第一表面 第一基板 金属触点 气体形成 特征形成 钨前驱物 钨填充层 处理腔 低电阻 氟化钨 前驱物 触点 室内 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包括以下步骤：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，所述等离子体是由第一气体形成，所述第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中所述钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，所述特征形成在基板的所述介电层的第一表面中；将所述基板传送到第二基板处理腔室而不将所述基板暴露至大气；和将所述基板暴露至第二气体以在所述钨衬垫层顶上沉积钨填充层，所述第二气体包括氟化钨前驱物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680069176.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
