[发明专利]包括轴向构造的三维半导体结构的光电子器件有效
| 申请号： | 201680069412.8 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108713258B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张欣;布鲁诺-朱尔斯·多丹;布鲁诺·盖拉尔;菲利普·吉莱 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会;艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L33/18 | 分类号： | H01L33/18;H01L33/08;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括至少一个三维半导体结构(2)的光电子器件(1)，该至少一个三维半导体结构(2)沿与其所在的衬底(3)的平面基本正交的纵向轴线(Δ)延伸，并且包括：从衬底(3)的一个表面沿纵向轴线(Δ)延伸的第一掺杂部分(10)；包括钝化层(34)和由所述钝化层(34)侧向覆盖的至少一个量子阱(32)的有源部分(30)，有源部分(30)的量子阱(32)具有大于第一掺杂部分(10)的平均直径的平均直径，所述有源部分(30)从第一掺杂部分(10)沿纵向轴线(Δ)延伸；以及从有源部分(30)沿纵向轴线(Δ)延伸的第二掺杂部分(20)。本发明的特征在于，该器件包括基本相互平行延伸的多个三维半导体结构(2)，多个三维半导体结构(2)的有源部分(30)相互接触。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 轴向 构造 三维 半导体 结构 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件(1)，包括至少一个三维半导体结构(2)，所述至少一个三维半导体结构(2)沿与其所在的衬底(3)的平面基本正交的纵向轴线(Δ)延伸并且包括：‑从所述衬底(3)的表面沿所述纵向轴线(Δ)延伸的第一掺杂部分(10)；‑包括至少一个量子阱(32)并且从所述第一掺杂部分(10)沿所述纵向轴线(Δ)延伸的有源部分(30)；‑从所述有源部分(30)沿所述纵向轴线(Δ)延伸的第二掺杂部分(20)；其特征在于，‑所述有源部分(30)的量子阱(32)具有大于所述第一掺杂部分(10)的平均直径的平均直径，并且由钝化层(34)侧向地覆盖；‑所述光电子器件(1)包括基本相互平行延伸的多个三维半导体结构(2)，所述多个三维半导体结构的有源部分(30)相互接触。
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