[发明专利]用于弧光灯的氮注入有效
| 申请号： | 201680070427.6 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108369918B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·布雷芒斯多费尔;佩特·伦贝西斯;约瑟夫·西贝尔;达韦·卡姆 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于减少一个或更多个弧光灯的污染的系统和方法。一个示例实现方式涉及毫秒退火系统。该毫秒退火系统包括用于使用毫秒退火工艺对基底进行热处理的处理室。该系统还包括一个或更多个弧光灯。一个或更多个弧光灯中的每一个均耦接至用于在弧光灯的操作期间使水循环通过弧光灯的水回路。该系统包括试剂注入源，该试剂注入源被配置成在弧光灯的操作期间将试剂例如氮气引入到循环通过弧光灯的水中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 弧光灯 注入 | ||
【主权项】：
1.一种毫秒退火系统，包括：处理室，用于使用毫秒退火工艺对基底进行热处理；一个或更多个弧光灯，所述一个或更多个弧光灯中的每一个均耦接至用于在所述弧光灯的操作期间使水循环通过所述弧光灯的水回路；其中，所述系统包括氮气注入源，所述氮气注入源被配置成在所述弧光灯的操作期间将氮气引入到循环通过所述弧光灯的水中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
