[发明专利]用于生产低氧含量硅的系统及方法在审
| 申请号： | 201680071006.5 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109154103A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | G·沙曼塔;P·达葛卢;S·巴哈加瓦特;S·巴萨克;张楠 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06;C30B15/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于生产硅锭的方法包含从熔体抽出晶种，所述熔体包含围封在含有尖点磁场的真空室中的坩埚中的熔化硅。在至少两个阶段中调节至少一个过程参数，所述至少两个阶段包含对应于形成所述硅锭直到中间锭长度的第一阶段，及对应于所述硅锭从所述中间锭长度形成到总锭长度的第二阶段。在所述第二阶段期间，过程参数调节可包含相对于所述第一阶段降低晶体旋转速率、降低坩埚旋转速率及/或增大磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锭 中间锭 熔体 坩埚 磁场 熔化 过程参数调节 过程参数 真空室 低氧 尖点 晶种 围封 总锭 抽出 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产硅锭的方法，所述方法包括：从包括坩埚中的一定量熔化硅的熔体抽出晶种以形成所述硅锭，所述坩埚围封在含有尖点磁场的真空室中；及调节至少一个过程参数，其中在至少两个阶段中调节所述至少一个过程参数，所述至少两个阶段包括：第一阶段，其对应于形成所述硅锭直到中间锭长度；及第二阶段，其对应于所述硅锭从所述中间锭长度形成到总锭长度；其中在所述第二阶段期间调节所述至少一个过程参数包括以下至少一者：相对于所述第一阶段期间的晶体旋转速率降低晶体旋转速率；相对于所述第一阶段期间的坩埚旋转速率降低坩埚旋转速率；及相对于所述第一阶段期间的磁场强度增大磁场强度。
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