[发明专利]工程化衬底上的宽带隙器件集成电路架构有效
| 申请号： | 201680071104.9 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108541335B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/778;H01L33/06;H01L33/00;H01L27/15;H01L33/32;H01L29/20 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了宽带隙集成电路，诸如氮化镓(GaN)集成电路，其包括有在工程化衬底上形成的多组外延层，以及公开了制造WBG集成电路的方法。外延层具有与工程化衬底的CTE实质上匹配的热膨胀系数(CTE)。台面、内部互连和电极将每组外延层配置成WBG器件。外部互连将不同的WBG器件连接成WBG集成电路。CTE匹配允许在六英寸或更大的工程化衬底上形成具有降低的位错密度和大于10微米的总厚度的外延层。大的衬底尺寸和厚的WBG外延层允许在单个衬底上制造大量的高密度WBG集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 工程 衬底 宽带 器件 集成电路 架构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在工程化衬底上形成宽带隙(WBG)外延层，其中所述WBG外延层包括多组外延层，并且其中所述工程化衬底包括在块体材料上形成的工程化层，所述块体材料具有与所述WBG外延层的热膨胀系数(CTE)匹配的CTE；在多组外延层的每组内形成内部互连和电极，以将每组外延层配置成多个WBG器件中的一个WBG器件；和在所述多个WBG器件中的不同WBG器件的电极之间形成外部互连以形成集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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