[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201680072715.5 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN108369960A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 张耀光 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。隧穿场效应晶体管包括半导体衬底(110)；半导体纳米薄片(120)，竖直设置在半导体衬底上；源区(121)、漏区(122)，源区和漏区由沟道(123)连接；漏区、沟道、源区依次设置于半导体纳米薄片上；栅介质层(130)，设置于半导体纳米薄片的表面，至少环绕沟道；栅金属层(140)，设置于栅介质层的表面，环绕栅介质层；栅介质层和栅金属层组成栅区，栅区通过电场控制隧穿场效应晶体管中载流子的隧穿，形成器件的开态和关态。采用半导体纳米薄片制造隧穿场效应晶体管，而不是采用多个纳米线并联的方式，提升了电流驱动能力，减小电路设计的复杂度和制造复杂度，简化制造工艺，节约工艺成本，提高隧穿场效应晶体管的机械稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 隧穿场效应晶体管 半导体纳米 栅介质层 沟道 漏区 源区 栅金属层 复杂度 衬底 栅区 制造 半导体 载流子 环绕 电流驱动能力 电子技术领域 简化制造工艺 机械稳定性 电场控制 电路设计 工艺成本 竖直设置 依次设置 纳米线 并联 关态 减小 开态 隧穿 节约 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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