[发明专利]成像装置和电子装置有效
| 申请号： | 201680073015.8 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108369952B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 森胁俊贵 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H10K30/60;H10K30/87;H10K39/32;H10K39/30;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及尽管结构简单但具有不易受制造过程中所使用的紫外光影响的构造和结构的成像元件以及包含该成像元件的成像装置和电子装置，所述成像元件包括堆叠结构体，所述堆叠结构体包括：第一电极、形成在所述第一电极上的光接收层以及形成在所述光接收层上的第二电极，其中，所述第二电极包括含有锌和钨中的至少一者的非晶氧化物，并且其中，所述第二电极是透明且导电的，并且在300nm的波长的情况下具有20％以上的吸收特性。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 电子 | ||
【主权项】：
1.一种成像装置，其包括：堆叠结构体，其包括：第一电极，光接收层，其形成在所述第一电极上，以及第二电极，其形成在所述光接收层上，其中，所述第二电极包括含有锌和钨中的至少一者的非晶氧化物，并且其中，所述第二电极是透明且导电的，并且在300nm的波长的情况下具有20％以上的吸收特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
