[发明专利]基于氧化锆的溅射靶材有效
| 申请号： | 201680074500.7 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108431292B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | C·西蒙斯;安德列亚斯·赫尔佐克;马库斯·舒尔特海斯;安娜·舍特 | 申请（专利权）人： | 万腾荣先进材料德国有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 严彩霞;韩飞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶材，其包含氧化锆作为溅射材料，其中，所述氧化锆具有如下特征：与其完全氧化形式的氧含量相比，缺氧量为至少0.40重量％；基于包括锆的金属元素的总量，除锆之外的金属元素的总量小于3.0重量％；以及X射线粉末衍射图在28.2°+/‑0.2°的2θ处具有峰P1、在31.4°+/‑0.2°的2θ处具有峰P2以及在30.2°+/‑0.2°的2θ处具有峰P3。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锆 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶材，其包含氧化锆作为溅射材料，其中，所述氧化锆具有如下特征：‑与其完全氧化形式的氧含量相比，缺氧量为至少0.40重量％，‑基于包括锆的金属元素的总量，除锆之外的金属元素的总量小于3.0重量％；以及‑X射线粉末衍射图在28.2°+/‑0.2°的2θ处具有峰P1、在31.4°+/‑0.2°的2θ处具有峰P2以及在30.2°+/‑0.2°的2θ处具有峰P3。
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