[发明专利]半导体元件和使用该半导体元件的电气设备有效
| 申请号： | 201680074791.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108431963B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 霍间勇辉;关谷隆司;笘井重和;川岛绘美;上冈义弘 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种半导体元件1，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10；以及，与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30，所述半导体元件满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层的载流子浓度(cm |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 使用 电气设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极和肖特基电极；以及与所述欧姆电极和所述肖特基电极接触的半导体层，所述半导体元件满足下述式(I)：![]()
式中，n为所述半导体层的载流子浓度、ε为所述半导体层的介电常数、Ve为所述欧姆电极与所述肖特基电极之间的正向有效电压、q为基本电荷、L为所述欧姆电极与所述肖特基电极之间的距离，所述n的单位为cm‑3、所述ε的单位为F/cm、所述Ve的单位为V、所述q的单位为C、所述L的单位为cm。
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