[发明专利]光电转换元件及光电转换模块有效
| 申请号： | 201680074846.7 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108431968B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 山本晃永;中村重幸;永野辉昌;里健一 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/10;G01J1/02;G01J1/42;H01L27/144;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电转换元件，其具备：多个像素(10)，其形成于共用的半导体基板(30)，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线(21)，其形成于上述半导体基板上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第1像素(11)电连接，且将来自上述两个以上的第1像素(11)的输出电流一并提取；以及第2配线(22)，其形成于上述半导体基板(30)上，与上述多个像素(10)中所含的两个以上的第2像素(12)电连接，且将来自上述两个以上的第2像素(12)的输出电流一并提取；且上述第1像素(11)的受光面积大于上述第2像素(12)的受光面积。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 模块 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件，其中，包含：多个像素，其形成于共用的半导体基板，且分别包含雪崩光电二极管；第1配线，其形成于所述半导体基板上，与所述多个像素中所含的两个以上的第1像素电连接，且将来自所述两个以上的第1像素的输出电流一并提取；及第2配线，其形成于所述半导体基板上，与所述多个像素中所含的两个以上的第2像素电连接，且将来自所述两个以上的第2像素的输出电流一并提取，且所述第1像素的受光面积大于所述第2像素的受光面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
