[发明专利]产生离子束的装置有效
| 申请号： | 201680074896.5 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108475609B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 史考特·C·后登;具本雄;布兰特·S·宾斯;理查尔·M·怀特;肯尼士·L·斯塔克斯;艾利克·R·科步 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种产生离子束的装置。其中具有经改善的温度控制的离子源的一部分位于散热器中的凹腔内，其中离子源的一部分以及凹腔分别塑形以使得离子源的膨胀导致与散热器发生高压热接触。举例来说，离子源可具有锥形的柱体端，锥形的柱体端适配于散热器中的凹腔内。离子源的热膨胀导致锥形的柱体端压靠在散热器的凹腔内。通过恰当地选择散热器的温度、经过散热器的冷却剂流体的温度及流量、以及散热器与离子源之间的间隙的尺寸，离子源的温度可得到控制。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 离子束 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680074896.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：膜卷装体和膜卷装体的制造方法
- 下一篇：线圈及线圈的制造方法
