[发明专利]光电转换装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680075001.X | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108475707B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 宇都俊彦;吉见雅士 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李书慧;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在导电型单晶硅基板(1)上依次具有本征硅系薄膜(12)和导电型硅系薄膜(15)的晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板上形成本征硅系薄膜后，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理。等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅系太阳能电池的制造方法，是在导电型单晶硅基板的一个主面上依次具有本征硅系薄膜和导电型硅系薄膜的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在将多个在导电型单晶硅基板上设置有本征硅系薄膜的基板配置于CVD腔室内的状态下，一边向CVD腔室内导入氢气和含硅气体，一边进行使所述本征硅系薄膜的表面暴露于氢等离子体的等离子体处理，所述等离子体处理时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的150～2500倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钟化，未经株式会社钟化许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680075001.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
