[发明专利]光电转换装置的制造方法

摘要

在晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板(1)上形成第一本征薄膜(121)后进行氢等离子体蚀刻。在氢等离子体蚀刻后的第一本征薄膜(121)上形成第二本征薄膜(122)，在其上形成导电型硅系薄膜(15)。第二本征薄膜(122)是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的。第二本征薄膜(122)形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。

主权项

1.一种晶体硅系太阳能电池的制造方法，所述晶体硅系太阳能电池在导电型单晶硅基板的一个主面上依次具有本征硅系薄膜和导电型硅系薄膜，所述制造方法依次具有如下工序：在导电型单晶硅基板上形成具有3～15nm的膜厚的第一本征薄膜的工序，将所述第一本征薄膜的表面暴露于氢等离子体而进行氢等离子体蚀刻的工序，在氢等离子体蚀刻后的所述第一本征薄膜上形成具有0.5～5nm的膜厚的第二本征薄膜的工序，以及在所述第二本征薄膜上形成与其相接的导电型硅系薄膜的工序；所述第二本征薄膜是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的，第二本征薄膜形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。