[发明专利]一种制造中空的MEMS结构的方法有效
| 申请号： | 201680075476.9 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108473303B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | A·哈恩;H·T·勒;K·伯克伦德;A·M·约杨森;F·杨森 | 申请（专利权）人： | 丹麦科技大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01F17/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 柳爱国 |
| 地址： | 丹麦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造至少部分中空的MEMS结构的方法。在第一步骤中，在芯材中设置一个或多个贯通开口。然后所述一个或多个贯通开口被蚀刻停止层覆盖。在该步骤之后，创建导电的底部层、导电的一个或多个通道和导电的顶部层。底部层连接到通道，通道连接到顶部层。通过填充所述一个或多个贯通开口中的至少一个开口来形成通道。该方法还包括在相应的底部层和顶部层中创建底部导体和顶部导体的步骤。最后，去除多余的芯材以便创建至少部分中空的MEMS结构，所述至少部分中空的MEMS结构可以包括MEMS电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 中空 mems 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造至少部分中空的MEMS结构的方法，所述方法包括以下步骤：a)设置芯材；b)在所述芯材中创建一个或多个贯通开口，所述一个或多个贯通开口根据预定的图案来构建；c)将蚀刻停止层设置到所述一个或多个贯通开口的表面；d)在所述芯材的第一表面上创建第一导电材料的底部层；e)通过利用第二导电材料填充至少一个所述贯通开口来创建一个或多个导通部，所述一个或多个导通部电连接到所述底部层；f)在所述芯材的第二表面上创建第三导电材料的顶部层，所述顶部层电连接到所述一个或多个导通部；g)在相应的所述底部层和所述顶部层中创建底部导体和顶部导体；和h)去除多余的所述芯材以便创建所述至少部分中空的MEMS结构。
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