[发明专利]多级别自旋逻辑有效
| 申请号： | 201680075646.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108475723B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | S.马尼帕特鲁尼;I.A.扬;D.E.尼科诺夫;U.E.阿夫西;P.莫罗;A.乔德里 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 所描述的是一种设备，其包括：4状态输入磁体；邻近于所述4状态输入磁体的第一自旋通道区；4状态输出磁体；邻近于4状态输入磁体和4状态输出磁体的第二自旋通道区；以及邻近于所述4状态输出磁体的第三自旋通道区。所描述的是一种设备，其包括：4状态输入磁体；邻近于所述4状态输入磁体的第一滤波器层；邻近于所述第一滤波器层的第一自旋通道区；4状态输出磁体；邻近于所述4状态输出磁体的第二滤波器层；邻近于第一滤波器层和第二滤波器层的第二自旋通道区；以及邻近于所述第二滤波器层的第三自旋通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 自旋 逻辑 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：4状态输入磁体；邻近于所述4状态输入磁体的第一自旋通道区；4状态输出磁体；邻近于4状态输入磁体和4状态输出磁体的第二自旋通道区；以及邻近于所述4状态输出磁体的第三自旋通道区。
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