[发明专利]具有虚设电介质层堆叠体下方的外围器件的三维存储器器件及其制造方法

摘要

一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。

主权项

1.一种结构，包括：第一绝缘层和导电层的第一交替堆叠体，所述第一堆叠体位于衬底之上；第二绝缘层和间隔体材料层的第二交替堆叠体，所述第二堆叠体位于所述衬底之上并且与所述第一交替堆叠体横向地间隔开，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括第一电介质材料，并且所述间隔体材料层包括与所述第一电介质材料不同的第二电介质材料；至少一个存储器堆叠体结构，所述至少一个存储器堆叠体结构垂直延伸穿过所述第一交替堆叠体，所述至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包括电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；以及接触通孔结构，所述接触通孔结构垂直延伸穿过所述第二交替堆叠体并且接触所述衬底上或所述衬底中的器件。