[发明专利]磁性传感器、传感器单元、磁性检测装置、以及磁性测量装置有效
| 申请号： | 201680076140.4 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108431620B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 藤原耕辅;大兼干彦;安藤康夫;城野纯一;寺内孝 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 车玲玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括：包含多个隧道磁阻元件(20)的元件阵列(10a)，所述多个隧道磁阻元件(20)分别具有固定磁性层(21)、自由磁性层(22)、以及被设置于固定磁性层及自由磁性层(22)之间的绝缘层(23)，且在外界磁场的影响下分别使绝缘层(23)的隧道电阻改变；以及对构成元件阵列(10a)的多个隧道磁阻元件(20)施加电压的电路(30)，施加于各隧道磁阻元件(20)的电压在0.1mV以上且50mV以下。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 单元 检测 装置 以及 测量 | ||
【主权项】：
1.一种磁性传感器，包括：包含多个隧道磁阻元件的元件阵列，所述多个隧道磁阻元件分别具有固定磁性层、自由磁性层、以及被设置于所述固定磁性层及所述自由磁性层之间的绝缘层，且在外界磁场的影响下分别使所述绝缘层的隧道电阻改变；以及电路，对构成所述元件阵列的所述多个隧道磁阻元件施加电压，施加于各隧道磁阻元件的电压在0.1mV以上且50mV以下。
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