[发明专利]忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法在审
| 申请号： | 201680076329.3 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108475727A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | M·巴斯卡兰;S·斯里拉姆;S·瓦利亚;H·N·艾哈迈达巴迪 | 申请（专利权）人： | 墨尔本皇家理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;屈小春 |
| 地址： | 澳大利亚，*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 公开了一种忆阻器装置，其包括：第一电极；第二电极；阴极金属层，该阴极金属层被置于第一电极的表面上；以及活性区，该活性区被置于第二电极与阴极金属层之间且与第二电极和阴极金属层电接触，该活性区包括至少一层非晶态金属氧化物，其中，当在第一电极与第二电极之间施加切换电压时，所述活性区表现出阻变行为。还公开了一种制造忆阻器装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极金属层 第二电极 活性区 忆阻器 第一电极 非晶态金属氧化物 切换电压 电接触 制造 施加 表现 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器装置，包括：‑第一电极；‑第二电极；‑阴极金属层，所述阴极金属层被置于第一电极的表面上；以及‑活性区，所述活性区被置于所述第二电极与所述阴极金属层之间且与所述第二电极和所述阴极金属层电接触，所述活性区包括至少一层非晶态金属氧化物，其中，当在所述第一电极与所述第二电极之间施加切换电压时，所述活性区表现出阻变行为。
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