[发明专利]基于光的传感器装置及相关的方法

摘要

一种装置(201)包括发光器件(202)和光电检测器(203)，发光器件(202)和光电检测器(203)在单个流体可渗透基底(206)上形成，以使得光电检测器(203)能够检测由发光器件(202)发射的光在与装置(201)的用户相互作用之后的所述光。光电检测器包括可由石墨烯制成的沟道构件(207)、相应的源电极和漏电极(208、209)；光敏材料层(210)，其被配置为在暴露在来自发光器件(202)的光中时改变流过沟道构件(207)的电流；以及栅电极(211)。装置(201)还包括流体不可渗透介电材料层(212)，其被配置为阻止光电检测器(203)的沟道构件(207)与栅电极(211)之间的电流的流动，以使沟道构件(207)的电导率能够由施加到栅电极(211)上的电压控制；以及阻止发光器件(202)暴露在已渗透通过流体可渗透基底(206)的流体中。流体不可渗透介电材料层(212)允许使用由聚合物材料制成的弹性基底而避免由所渗透的流体导致的对覆盖组件的损害的风险。流体不可渗透介电材料层(212)的双重功能减少了用于形成装置(201)的制造步骤的数量，并且使得得到更薄、更紧凑的设备。

主权项

1.一种装置，包括：发光器件和光电检测器，所述发光器件和所述光电检测器在单个流体可渗透基底上形成，以使得所述光电检测器能够检测由所述发光器件发射的光在与所述装置的用户相互作用之后的所述光；所述光电检测器包括：沟道构件以及相应的源电极和漏电极，其被配置为使电流能够流过所述源电极与所述漏电极之间的所述沟道构件；光敏材料层，其被配置为在暴露在来自所述发光器件的光中时改变流过所述沟道构件的电流；以及栅电极；其中，所述装置包括流体不可渗透介电材料层，其被配置为：阻止所述光电检测器的所述沟道构件与所述栅电极之间的电流的流动，以使所述沟道构件的电导率能够由施加到所述栅电极上的电压控制，以及阻止所述发光器件暴露在已渗透通过所述流体可渗透基底的流体中。