[发明专利]形成含锰膜的组合物、其合成、以及在膜沉积中的用途在审
申请号: | 201680076757.6 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN108474113A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·维森;伽蒂诺谕子;克里斯汀·杜斯拉特;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科 | 申请(专利权)人: | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
主分类号: | C23C16/14 | 分类号: | C23C16/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 李艳;臧建明 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 披露了形成含锰膜的组合物、其制备、以及其用于膜的气相沉积的用途。这些形成含锰膜的组合物包含含甲硅烷基酰胺的前体,特别是{Mn[N(SiMe2Et)2]2}2。 | ||
搜索关键词: | 甲硅烷基酰胺 气相沉积 膜沉积 前体 制备 合成 | ||
【主权项】:
1.一种将含Mn层沉积在基板上的方法,该方法包括:将形成含Mn膜的组合物的蒸气引入至其中布置有基板的反应器中,其中这些形成含Mn膜的组合物包含选自下组的含甲硅烷基酰胺的前体,该组由以下各项组成:{Mn[N(SiMe2Et)2]2}2;{Mn[N(SiMe2H)2]2}2;{Mn[N(SiMe3)(tBu)]2}2;{Mn[N(SiMe2nBu)2]2}2;Mn[N(SiMe3)2]2(py);Mn[N(SiMe3)2]2(Me3N);Mn[N(SiMe3)2]2(Et3N);Mn[N(SiMe3)2]2(Me2EtN);Mn[N(SiMe3)2]2(MeEt2N);Mn[N(SiMe3)2]2(1‑Me‑吡咯烷);Mn[N(SiMe3)2]2(PMe3);{Mn[N(SiMe3)2]2}2;{Mn[N(SiMe2Et)2]2}2;Mn[N(SiMe2Et)2]2(py);Mn[N(SiMe2Et)2]2(Me3N);Mn[N(SiMe2Et)2]2(Et3N);Mn[N(SiMe2Et)2]2(Me2EtN);Mn[N(SiMe2Et)2]2(MeEt2N);Mn[N(SiMe2Et)2]2(1‑Me‑吡咯烷);Mn[N(SiMe2Et)2]2(PMe3),以及其组合;并且使用气相沉积法使该含甲硅烷基酰胺的前体的至少一部分沉积到基板上以形成该含Mn层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的