[发明专利]具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元的制造方法

摘要

提供了具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元，所述静态RAM核心单元包括六个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极。所述静态RAM核心单元包括：两个开关薄膜晶体管，每个开关薄膜晶体管连接到位线和字线并选择数据的记录和读取；以及四个数据存储薄膜晶体管，其连接到电源电压(Vdd)或接地电压(Vss)并能够记录和读取数据。所述静态RAM核心单元包括第一晶体管层、第二晶体管层以及第三晶体管层，所述第一晶体管层包括从所述六个薄膜晶体管中选择的两个薄膜晶体管，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层上并包括从另外的四个薄膜晶体管中选择的两个薄膜晶体管，所述第三晶体管层位于所述第二晶体管层上并包括另外的两个薄膜晶体管，其中所述第一晶体管层的一个或多个电极与所述第二晶体管层的一个或多个电极电连接，所述第二晶体管层的一个或多个电极与所述第三晶体管层的一个或多个电极电连接。因此，根据本发明的所述具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元通过将相同类型的有机晶体管布置在同一平面内并使其垂直层叠而允许在制造存储元件时省去用于形成不同类型的有机晶体管的复杂图案化工艺，并且通过减小存储元件占用的面积而可以增大半导体电路的集成度。

主权项

1.一种具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元，其包括六个薄膜晶体管，每个所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极，所述静态RAM核心单元包括：两个开关薄膜晶体管，各个所述开关薄膜晶体管均连接到位线和字线，以选择数据的记录和读取；和四个数据存储薄膜晶体管，所述四个数据存储薄膜晶体管连接到电源电压(Vdd)或接地电压(Vss)，以记录和读取数据，所述静态RAM核心单元包括：第一晶体管层，所述第一晶体管层包括从所述六个薄膜晶体管中选择的两个薄膜晶体管；第二晶体管层，所述第二晶体管层设置在所述第一晶体管层上并且包括从剩余的四个薄膜晶体管中选择的两个薄膜晶体管；和第三晶体管层，所述第三晶体管层设置在所述第二晶体管层上并且包括剩余的两个薄膜晶体管，所述第一晶体管层的至少一个电极与所述第二晶体管层的至少一个电极彼此电连接，并且所述第二晶体管层的至少一个电极与所述第三晶体管层的至少一个电极彼此电连接。