[发明专利]具有优化性能和增益的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201680077236.2 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108475696A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | J-C·雅凯;P·加马拉;S·彼得罗维奇;C·拉康;M-A·普瓦松;O·帕塔尔 | 申请（专利权）人： | 塔莱斯公司;原子能和辅助替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/201;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李隆涛 |
| 地址： | 法国库*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括半导体堆叠的晶体管，半导体堆叠具体包括特定厚度合理放置的第一子层(16)，其将缓冲层(12)分成两部分(12a；12b)并且包括第三半导体(Mat3)，使得缓冲层的半导体和第三半导体(Mat3)的压电和自发极化系数之间的差异在缓冲层的第一部分(12a)、与第一子层(16)之间的第一界面(17)处感应产生电场的第一固定表面电荷，该电场沿着z轴线定向以便允许二维气(9)被限制到沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 半导体 半导体堆叠 电场 子层 场效应晶体管 自发极化系数 固定表面 电荷 晶体管 二维 沟道 压电 优化 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其包括沿着z轴线的堆叠(Emp)，所述堆叠包括：包括第一半导体(Mat1)的阻挡层(13)；在所述阻挡层(13)和缓冲层(12)之间的异质结(15)；以及二维气(9)，所述二维气被限制到位于垂直于z轴线的xy平面中且位于异质结(15)附近的沟道，所述缓冲层(12)包括包含AlxGa(1‑x)N的第二半导体(Mat2)，x是所述缓冲层(12)的铝含量，其特征在于，所述堆叠还包括第一子层(16)，所述第一子层将所述缓冲层(12)分成两个部分(12a；12b)且包括包含Alx1Ga(1‑x1)N的第三半导体(Mat3)，x1高于x+15％，x1是所述子层(16)的铝含量，使得所述第二半导体(Mat2)和所述第三半导体(Mat3)的压电和自发极化系数之间的差异在所述缓冲层的第一部分(12a)与所述第一子层(16)之间的第一界面(17)处感应产生电场的第一固定表面电荷(Q1)，所述电场沿着所述z轴线指向并且朝向所述第一界面(17)定向，以便允许所述二维气(9)被限制到所述沟道，在所述异质结(15)和、位于所述缓冲层的第一部分(12a)与所述第一子层(16)之间的第一界面(17)之间的距离被包括在沿垂直于所述晶体管的堆叠的方向Oz的方向Ox的所述栅极长度(Lg)的三分之一和所述栅极长度(Lg)的两倍之间。
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