[发明专利]超高性能碳化硅栅极驱动器在审

专利信息
申请号: 201680077314.9 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN108432137A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 陶峰峰;J.S.格拉泽;M.J.舒滕;J.J.纳萨多斯基;M.哈夫曼-托多罗维奇 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H01L23/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姜冰;杨美灵
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种系统包括:SiC半导体功率装置;电力供应器板,其被配置成经由连接器向第一栅极驱动器板提供功率;所述第一栅极驱动器板,其被耦合且配置成向所述SiC半导体功率装置提供电流,其中所述第一栅极驱动器电路板经由所述连接器耦合到所述电力供应器板,且其中所述第一栅极驱动器板与所述电力供应器板分离;以及互连板,其耦合到所述第一栅极驱动器板,其中所述互连板被配置成将所述第一栅极驱动器板耦合到第二栅极驱动器板。
搜索关键词: 栅极驱动器板 电力供应器 半导体功率装置 栅极驱动器 互连板 耦合到 配置 连接器 连接器耦合 电路板 超高性能 耦合 碳化硅
【主权项】:
1.一种系统,包括:一个或多个碳化硅半导体功率装置;电力供应器电路板,其被配置成经由一个或多个连接器向第一栅极驱动器电路板提供功率;所述第一栅极驱动器电路板,所述第一栅极驱动器电路板耦合到所述一个或多个碳化硅半导体功率装置且被配置成提供电流来驱动所述一个或多个碳化硅半导体功率装置的一个或多个栅极,其中所述第一栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径经由所述一个或多个连接器耦合到所述电力供应器电路板的一个或多个信号路径,且其中所述第一栅极驱动器电路板与所述电力供应器电路板分离;以及互连电路板,所述互连电路板耦合到所述第一栅极驱动器电路板,其中所述互连电路板被配置成将所述第一栅极驱动器电路板的所述一个或多个信号路径耦合到第二栅极驱动器电路板的一个或多个信号路径。
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