[发明专利]处理流体-抽吸装置和包含其的蚀刻装置

摘要

本发明涉及一种抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底的基本上平坦的处理表面（3a）处抽吸处理流体，借助运输辊（8、10）沿着基本上水平的运输方向来运输所述处理基底，所述抽吸装置具有抽吸源、操控所述抽吸源的抽吸控制单元和具有至少一个抽吸枪的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口以至所述处理表面的抽吸距离来定位。此外，本发明涉及一种配备有这种抽吸装置的蚀刻装置。就根据本发明的抽吸装置而言，抽吸源和抽吸控制单元被设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸‑负压。附加地或者可替代的，抽吸枪具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一个抽吸收集管（17）和多个从其处梳状突出的抽吸管（18），所述抽吸管在入口侧具有所述抽吸喷嘴开口（19）。例如用于蚀刻印刷电路板、导体箔或者半导体晶片的应用。

主权项

1.抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底（3）、尤其是印刷电路板或者导体箔或者半导体晶片的、基本上平坦的处理表面（3a）处抽吸处理流体（4）、尤其是蚀刻流体，借助运输辊（8、10）沿着基本上水平的运输方向（T）来运输所述处理基底，所述抽吸装置具有：‑ 抽吸源（14），‑ 抽吸控制单元（15），所述抽吸控制单元操控所述抽吸源，以及‑ 具有至少一个抽吸枪（16）的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口（19）以至所述处理表面的抽吸距离（As）来定位，其特征在于，‑ 所述抽吸源（14）和所述抽吸控制单元（15）被设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸‑负压，和/或‑ 所述抽吸枪（16）具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一抽吸收集管（17）和多个从其处梳状突出的抽吸管（18），所述抽吸管在入口侧具有所述抽吸喷嘴开口（19）。