[发明专利]静电放电防护结构有效
| 申请号： | 201680078090.3 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108541343B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 德瑞坦·瑟娄;多米尼克·约翰·古德威尔;艾瑞克·伯尼尔 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/105;H01L31/0232;H01L27/02;H01L27/144;H01L27/146;G02B6/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于基于光子平台的光电二极管系统的静电放电防护结构。具体地，本申请提供了光电二极管组件，该光电二极管组件包括：光电二极管(如Si或SiGe光电二极管)；波导(212)(如硅波导)；以及防护结构，其中，该防护结构包括二极管，该防护结构围绕Si或SiGe光电二极管的全部周围或基本上全部周围延伸并且允许来自硅波导(212)的光传播到Si或SiGe光电二极管中。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 结构 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管组件，包括：光电二极管；波导，所述波导与所述光电二极管通信；以及防护结构，所述防护结构围绕所述光电二极管的基本上全部周围延伸并且包括二极管，其中，当所述防护结构与所述波导共面时，所述防护结构包括以下中至少之一：间隙；在由所述光电二极管检测到的光的波长处基本上光学透明的结构；其中，当所述防护结构与所述波导不共面时，适用以下中至少之一：所述防护结构设置在与所述波导的平面平行的平面中，并且与所述波导充分隔开，使得所述防护结构基本上不吸收在由所述光电二极管检测到的光的波长处的光；所述防护结构包括间隙；以及所述防护结构包括在由所述光电二极管检测到的光的波长处基本上光学透明的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
