[发明专利]化学气相沉积方法和装置在审
申请号: | 201680078741.9 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN108884563A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | D·J·德罗西耶;C·R·费罗 | 申请(专利权)人: | GTAT公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/24 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种形成一化学气相沉积(CVD)反应器的一细丝组件的方法,包括由一桥连接的至少一细丝结构。该细丝结构包括与一硅种子合成一体的一中空硅细丝。本发明描述了各种实施例,包括具有此细丝组件的一CVD系统以及沉积硅于此细丝组件上的一方法。 | ||
搜索关键词: | 细丝 化学气相沉积 细丝结构 方法和装置 反应器 桥连接 沉积 合成 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积系统的细丝组件的形成方法,包括以下步骤:(1)提供包括至少一细丝接触件的一电性导电桥;(2)提供具有一第一端与一第二端的一硅种子,该第一端包括被配置为生长一中空硅细丝于其上的一凸起部,该第二端被配置为于该桥的该细丝接触件相配合;(3)将该硅种子的该第一端上的该凸起部与一晶体生长装置的一成形染料中的熔融硅接触,该硅种子的该凸起部与该成形染料具有基本相似的截面形状;(4)形成包括该中空硅细丝的一细丝结构于该硅种子的该第一端上;以及(5)通过该硅种子的该第二端与该桥的该细丝接触件相配合,以连接该细丝结构与该电性导电桥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于GTAT公司,未经GTAT公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680078741.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的