[发明专利]化学气相沉积方法和装置在审

专利信息
申请号: 201680078741.9 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN108884563A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: D·J·德罗西耶;C·R·费罗 申请(专利权)人: GTAT公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/24
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国新罕*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种形成一化学气相沉积(CVD)反应器的一细丝组件的方法,包括由一桥连接的至少一细丝结构。该细丝结构包括与一硅种子合成一体的一中空硅细丝。本发明描述了各种实施例,包括具有此细丝组件的一CVD系统以及沉积硅于此细丝组件上的一方法。
搜索关键词: 细丝 化学气相沉积 细丝结构 方法和装置 反应器 桥连接 沉积 合成
【主权项】:
1.一种化学气相沉积系统的细丝组件的形成方法,包括以下步骤:(1)提供包括至少一细丝接触件的一电性导电桥;(2)提供具有一第一端与一第二端的一硅种子,该第一端包括被配置为生长一中空硅细丝于其上的一凸起部,该第二端被配置为于该桥的该细丝接触件相配合;(3)将该硅种子的该第一端上的该凸起部与一晶体生长装置的一成形染料中的熔融硅接触,该硅种子的该凸起部与该成形染料具有基本相似的截面形状;(4)形成包括该中空硅细丝的一细丝结构于该硅种子的该第一端上;以及(5)通过该硅种子的该第二端与该桥的该细丝接触件相配合,以连接该细丝结构与该电性导电桥。
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