[发明专利]背面入射型固体摄像元件和其制造方法有效
申请号: | 201680078756.5 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN108475684B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 大塚慎也;铃木久则;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/144;H04N5/369 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的背面入射型固体摄像元件中,在摄像区域内有第一电荷输送电极组(垂直移位寄存器),在摄像区域的周边区域内有第二电荷输送电极组(水平移位寄存器)。与周边区域对应的半导体基板(4)的光入射面被蚀刻,在蚀刻后的区域内填充有无机的遮光物质(SH)。无机的遮光物质在真空环境下蒸发而气化的量极少,气化的气体对摄像的影响较少。 | ||
搜索关键词: | 背面 入射 固体 摄像 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种背面入射型固体摄像元件,其特征在于,包括:具有光入射面的半导体基板;设置在所述半导体基板的与所述光入射面相反的一侧的面的第一电荷输送电极组;和将由所述第一电荷输送电极组输送的电荷进一步在水平方向输送的第二电荷输送电极组,所述第一电荷输送电极组配置在摄像区域内,所述第二电荷输送电极组配置在所述摄像区域的周边区域内,与所述周边区域对应的所述半导体基板的所述光入射面被蚀刻,在蚀刻后的区域内填充有无机的遮光物质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的