[发明专利]用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底有效
| 申请号： | 201680079260.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108475722B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | M·波卡特;T·巴尔格;帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;E·德斯邦内特斯;奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/312;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 温度 补偿 表面 声波 器件 或体 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，所述支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近所述压电层(10)的材料的热膨胀系数，其中，所述半导体层(111)被设置在所述压电层(10)与所述加强衬底(110)之间。
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