[发明专利]具有金属填充的深源极触点的功率MOSFET有效
| 申请号： | 201680079272.2 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110521001B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 林福任;F·贝奥奇;Y·刘;L·刘;T·吕;P·林;H·林 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种平面栅功率MOSFET(100)，所述平面栅功率MOSFET包括：衬底(105)，其具有以第一导电类型掺杂的半导体表面(108)；多个晶体管单元(单元)，其包括各自具有在本体区(113)上方的栅极堆叠(111a/112、111b/112)的第一单元(110a)和至少第二单元(110b)。沟槽具有＞3的纵横比，在所述栅极堆叠之间从所述半导体表面的顶侧向下延伸，从而提供从以第二导电类型掺杂的源极(127)到所述衬底的源极触点(SCT)(120)。场板(FP)(128)位于所述栅极堆叠上方，其提供用于所述沟槽的内衬。所述沟槽具有位于其内部的难熔金属或铂族金属(PGM)金属填料(122)。以所述第二导电类型掺杂的漏极(132)位于与所述沟槽相对的所述栅极堆叠侧面上的所述半导体表面中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 填充 深源极 触点 功率 mosfet | ||
【主权项】：
1.一种制造平面栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管即平面栅功率MOSFET的方法，其包括：/n提供平面栅功率MOSFET管芯，所述平面栅功率MOSFET管芯包括多个晶体管单元即多个单元，所述多个晶体管单元包括在具有以第一导电类型掺杂的半导体表面的衬底上形成的第一单元和至少第二单元，所述第一单元具有第一栅极堆叠并且所述第二单元具有第二栅极堆叠，每个所述栅极堆叠包括：栅电极，其位于本体区上方的栅极电介质上；沟槽，其具有至少为3的纵横比，在所述第一栅极堆叠与所述第二栅极堆叠之间从所述半导体表面的顶侧向下延伸，从而提供从所述衬底到以第二导电类型掺杂的源极的源极触点即SCT；场板即FP，其在所述栅极堆叠上方延伸以提供用于所述沟槽的内衬，所述沟槽具有位于其内部的难熔金属或铂族金属即PGM的金属填料即金属填料；以及以所述第二导电类型掺杂的漏极，其位于与所述沟槽相对的所述栅极堆叠侧面上的所述半导体表面中；/n对所述金属填料进行第一蚀刻，以用于在所述漏极上方沿着所述FP的侧壁移除所述金属填料并且移除所述沟槽中的所述金属填料的一部分；/n使所述金属填料沉积，包括以填充所述沟槽，以及/n对所述金属填料进行第二蚀刻。/n
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