[发明专利]基片清洗方法、基片清洗装置和团簇生成气体的选择方法

摘要

作为团簇生成气体，使用基于能量K与指标C之积Φ的值选择的气体，其中，上述能量K是由下式(1)给出的从团簇喷嘴喷出时的团簇生成气体的单分子或单原子的能量，上述指标C是由下式(2)给出的表示气体的团簇化容易程度的指标，其中，kB是玻尔兹曼常数，γ是团簇生成气体的比热容比，m是团簇生成气体的质量，v是团簇生成气体的速度，T0是气体供给温度，Tb是团簇生成气体的沸点。

主权项

1.一种基片清洗方法，其特征在于，包括：将团簇生成气体以规定压力供给到团簇喷嘴的步骤；从所述团簇喷嘴使所述团簇生成气体喷射到配置有被处理基片且保持为真空的处理容器中的步骤；使所述团簇生成气体绝热膨胀来生成气体团簇的步骤；和对保持在所述处理容器内的被处理基片照射所述气体团簇，将附着在被处理体上的颗粒除去的步骤，作为所述团簇生成气体，使用基于能量K与指标C之积Φ的值选择的气体，其中，所述能量K是由下式(1)给出的从所述团簇喷嘴喷出时的所述团簇生成气体的单分子或单原子的能量，所述指标C是由下式(2)给出的表示气体的团簇化容易程度的指标，其中，kB是玻尔兹曼常数，γ是团簇生成气体的比热容比，m是团簇生成气体的质量，v是团簇生成气体的速度，T0是气体供给温度，其中，Tb是团簇生成气体的沸点，T0是气体供给温度，γ是团簇生成气体的比热容比。