[发明专利]功率模块有效
申请号: | 201680079449.9 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108475666B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 横山吉典;曾田真之介;太田成人;西川和康;福本晃久 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/40 | 分类号: | H01L23/40;H01L23/12;H01L23/13;H01L23/36 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 功率模块(101)具备:绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间,第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间,第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。 | ||
搜索关键词: | 功率 模块 | ||
【主权项】:
1.一种功率模块,其中,所述功率模块具备:绝缘电路基板;半导体元件,所述半导体元件配置于所述绝缘电路基板的一方的主表面侧;第一缓冲板,所述第一缓冲板配置于所述绝缘电路基板与所述半导体元件之间;第一接合材料,所述第一接合材料配置于所述绝缘电路基板与所述第一缓冲板之间;第二接合材料,所述第二接合材料配置于所述半导体元件与所述第一缓冲板之间;以及散热构件,所述散热构件配置于所述绝缘电路基板的所述一方的主表面侧的相反侧的另一方的主表面侧,所述第一接合材料在俯视时被分割成多个,所述第一缓冲板的线膨胀系数比所述半导体元件的线膨胀系数大且比所述绝缘电路基板的线膨胀系数小,所述第一缓冲板的杨氏模量比所述半导体元件的杨氏模量小。
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