[发明专利]间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置有效
| 申请号： | 201680079582.4 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108475606B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 奎格·R·钱尼;奈尔·J·巴森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/16 | 分类号： | H01J37/16;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置。间接加热式阴极(IHC)离子源包括具有位于相对的两个端部上的阴极及斥拒极的离子源室。离子源室由具有非常低的导电率的陶瓷材料构造而成。导电衬垫可被插入至离子源室中且可覆盖离子源室的三个侧。衬垫可电连接至含有提取孔的面板。阴极与斥拒极的电连接穿过陶瓷材料中的孔。这样一来，由于不存在起弧的风险，因此，孔可尽可能地被制作成比原本小。在某些实施例中，电连接被模制至离子源室中或被压配合于孔中。此外，用于离子源室的陶瓷材料更耐用且向所提取离子束引入的污染物更少。 | ||
| 搜索关键词： | 间接 加热 阴极 离子源 与其 一起 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种间接加热式阴极离子源，其特征在于，包括：离子源室，气体被引入至所述离子源室中，所述离子源室由电绝缘材料构造而成且具有底部、两个相对的端部及两个侧；阴极，安置于所述离子源室的所述两个相对的端部中的一者上；斥拒极，安置于所述离子源室的所述两个相对的端部中的第二者处；导电衬垫，覆盖所述离子源室的所述两个侧与所述底部中的至少一者；以及具有提取孔的面板，与所述离子源室的所述底部相对地安置。
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