[发明专利]布线结构和溅射靶在审
| 申请号： | 201680079797.6 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN108496241A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 奥野博行;中井淳一;吉田慎太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种布线结构，其特征在于，是在Al－Ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一方的面上形成有Al－Ta氧化膜的布线结构，所述Al－Ta合金薄膜的Ta添加量为0.3～3.0原子％，且Cu含量为0.03原子％以下，所述Al－Ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述Al－Ta氧化膜中的Ta的原子％浓度比Al－Ta合金薄膜中的Ta的原子％浓度低。 | ||
| 搜索关键词： | 布线结构 合金薄膜 氧化膜 溅射靶 浓度比 添加量 膜厚 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种布线结构，其特征在于，是在Al－Ta合金薄膜的至少表面和侧面的任意一者的面上形成有Al－Ta氧化膜的布线结构，所述Al－Ta合金薄膜的Ta添加量为0.3～3.0原子％，且Cu含量为0.03原子％以下，所述Al－Ta氧化膜的膜厚为3～10nm，并且，所述Al－Ta氧化膜中的Ta的原子％浓度比Al－Ta合金薄膜中的Ta的原子％浓度低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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