[发明专利]为了磁力测定应用而优化的含氮单晶金刚石材料有效
| 申请号： | 201680080219.4 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109477238B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | W·卢;G·S·布鲁斯;A·M·埃德蒙斯;M·L·马卡姆;A·D·斯泰西;H·K·迪隆 | 申请（专利权）人： | 六号元素技术有限公司;六号元素技术美国公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/04;C30B33/04 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种单晶金刚石材料，其包含：中性氮‑空位缺陷(NV |
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| 搜索关键词： | 为了 磁力 测定 应用 优化 含氮单晶 金刚石 材料 | ||
【主权项】：
1.单晶金刚石材料，其包含：中性氮‑空位缺陷(NV0)；带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)；和单一取代的氮缺陷(Ns)，所述氮缺陷将它们的电荷转移到中性氮‑空位缺陷(NV0)，以将它们转化为带负电荷的氮‑空位缺陷(NV‑)，其特征在于所述单晶金刚石材料具有的磁力测定品质因数(FOM)为至少2，其中所述磁力测定品质因数由![]()
定义，其中R是带负电荷的氮‑空位缺陷与中性氮‑空位缺陷的浓度比率([NV‑]/[NV0])，[NV‑]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)的原子测量的带负电荷的氮‑空位缺陷的浓度，[NV0]是以所述单晶金刚石材料的百万分率(ppm)的原子测量的中性氮‑空位缺陷的浓度，并且T2'是以微秒计的NV‑缺陷的退相干时间，其中T2'是对于DC磁力测定而言的T2*或对于AC磁力测定而言的T2。
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