[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680080286.6 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108604598B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 福井裕;菅原胜俊;日野史郎;小西和也;足立亘平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 栅极连接层(14)具有隔着栅极绝缘膜(7)配置于外部沟槽(TO)上的部分。第1主电极(10)具有：主触点(CS)，在活性区域(30)内与阱区域(4)和第1杂质区域(5)电连接；以及外部触点(CO)，与活性区域(30)相离而与外部沟槽(TO)的底面相接。沟槽底面电场缓和区域(13)设置于漂移层(3)内。沟槽底面高浓度区域(18)具有比沟槽底面电场缓和区域(13)的杂质浓度高的杂质浓度，设置于沟槽底面电场缓和区域(13)上，从隔着栅极绝缘膜(7)与栅极连接层(14)相向的位置延伸至与第1主电极(10)的外部触点(CO)相接的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置(101～106、101a～101e、102a～102c、103a～103d、104a、105a、105b)，具备：漂移层(3)，跨越活性区域(30)和所述活性区域(30)外的区域，具有第1导电类型；阱区域(4)，在所述活性区域(30)内设置于所述漂移层(3)上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型；第1杂质区域(5、5A)，设置于所述阱区域(4)上，与所述漂移层(3)被所述阱区域(4)隔开，具有所述第1导电类型；栅极沟槽(TG)，设置于所述活性区域(30)内，具有面向所述第1杂质区域(5、5A)、所述阱区域(4)及所述漂移层(3)的侧壁；外部沟槽(TO)，在所述活性区域(30)外设置于所述漂移层(3)；栅极绝缘膜(7)，设置于所述栅极沟槽(TG)及所述外部沟槽(TO)内；栅电极(8)，隔着所述栅极绝缘膜(7)设置于所述栅极沟槽(TG)内；栅极连接层(14)，与所述栅电极(8)相接，具有隔着所述栅极绝缘膜(7)配置于所述外部沟槽(TO)上的部分；第1主电极(10、10A)，具有在所述活性区域(30)内与所述阱区域(4)和所述第1杂质区域(5、5A)电连接的主触点(CE、CS)和与所述活性区域(30)相离而与所述外部沟槽(TO)的底面相接的外部触点(CO)；第2主电极(11、11A)，与所述漂移层(3)电连接，与所述阱区域(4)至少被所述漂移层(3)隔开，隔着所述漂移层(3)与所述第1主电极(10、10A)相向；沟槽底面电场缓和区域(13)，设置于所述漂移层(3)内，被所述漂移层(3)与所述第2主电极(11、11A)隔开，具有所述第2导电类型；以及沟槽底面高浓度区域(18、18V)，具有所述第2导电类型，具有比所述沟槽底面电场缓和区域(13)的杂质浓度高的杂质浓度，设置于所述沟槽底面电场缓和区域(13)上，从隔着所述栅极绝缘膜(7)与所述栅极连接层(14)相向的位置延伸至与所述第1主电极(10、10A)的所述外部触点(CO)相接的位置。
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