[发明专利]具有磁性隧道结及热稳定性增强层的存储器单元

摘要

本发明揭示一种磁阻随机存取存储器MRAM装置。本文描述的所述装置在磁性隧道结的自由层上方具有热稳定性增强层。所述热稳定性增强层改进所述自由层的所述热稳定性，增加所述自由层的磁矩而不使所述自由层的磁性方向在平面内。所述热稳定性增强层可由CoFeB铁磁材料层构成。

主权项

1.一种磁性装置，其包括：底部电极，其位于第一平面中；垂直合成反铁磁结构，所述垂直合成反铁磁结构包含位于第二平面中的磁性参考层，所述磁性参考层具有垂直于所述第二平面的磁化方向并具有固定磁化方向；非磁性隧道势垒层，其位于第三平面中并安置在所述磁性参考层上方；自由磁性层，其位于第四平面中并安置在所述非磁性隧道势垒层上方，所述自由磁性层具有垂直于所述第四平面的磁化矢量并具有可从第一磁化方向切换到第二磁化方向的磁化方向，所述磁性参考层、所述非磁性隧道势垒层及所述自由磁性层形成磁性隧道结；非磁性热稳定性增强耦合层，其位于第五平面中并安置在所述自由磁性层上方；磁性热稳定性增强层，其位于第六平面中，所述磁性热稳定性增强层与所述自由磁性层物理分离并通过所述非磁性热稳定性增强耦合层耦合到所述自由磁性层，所述磁性热稳定性增强层具有垂直于所述第六层的磁化方向，并具有可从所述第一磁化方向切换到所述第二磁化方向的磁化方向，其中所述磁性热稳定性增强层从所述第一磁化方向到所述第二磁化方向的切换跟踪所述磁性自由层中的切换；及盖层，其位于第七平面中并安置在所述热稳定性增强层上方。