[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、固态成像装置以及电子设备有效
| 申请号： | 201680080729.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108604592B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 富樫秀晃;中西康辅 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/522;H01L27/088;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 乔焱;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其通过在半导体基板的厚度方向上贯通半导体基板而设置，并将在半导体元件中获得的电荷引入半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由贯通电极如此引入的电荷而输出电信号，放大晶体管将贯通电极用作栅电极并包括贯通电极周围的源极区域和漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 固态 成像 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：半导体元件，其设置在半导体基板的第一表面侧；贯通电极，其被设置成沿着所述半导体基板的厚度方向贯通所述半导体基板，并将在所述半导体元件中获得的电荷引入所述半导体基板的第二表面侧；以及放大晶体管，其基于由所述贯通电极引入的电荷输出电信号，所述放大晶体管将所述贯通电极用作栅电极并在所述贯通电极周围包括源极区域和漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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