[发明专利]半导体装置以及用于制造这种半导体装置的方法

摘要

一种制造半导体装置的方法提供有：（a）提供宽带隙衬底产品（10）,（b）为了形成两个沟道层（4、4’），施加第一掩模（42）并且施加p第一掺杂剂（41），为了形成两个源区（3、3’），通过在第一掩模（42）的横向侧上施加另外层并且施加n第二掺杂剂（31）来形成第二掩模（32），为了形成两个阱层（5、5’），通过去除源区（3、3’）之间的第二掩模（32）的这种部分并且施加p第三掺杂剂（51）来形成第三掩模（52），其中阱层深度（50）与沟道层深度（40）至少同样大，（c）在步骤（b）之后，为了形成插塞（6），施加覆盖源区（3、3’）和沟道层（4、4’）的第四掩模，并且将p第四掺杂剂施加到比阱层深度（50）更大的深度并且以比阱层（5、5’）更高的掺杂浓度施加，其中阱层（5、5’）在横向方向上包围插塞（6），并且将它与两个源区（3、3’）分隔。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括下列制造步骤：(a) 提供宽带隙衬底产品（10），其具有在所述半导体装置中形成漂移层（2）的第一导电类型的低掺杂层，所述衬底产品（10）具有第一侧（12）以及与所述第一侧（12）相反的第二侧（14），其中所述低掺杂层布置在所述第一侧（12）上，(b) 然后在所述第一侧（12）上的所述宽带隙衬底产品中形成一直到源区深度（30）的所述第一导电类型的两个源区（3、3’）、与所述第一导电类型不同的第二导电类型的两个沟道层（4、4’）以及所述第二导电类型的至少一个阱层（5、5’），所述第一导电类型的两个源区（3、3’）具有比所述漂移层（2）更高的掺杂浓度，与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的两个沟道层（4、4’）具有沟道层深度（40），并且在横向方向上包围所述两个源区（3、3’），所述方向与所述第一侧（12）平行，由此将所述两个源区（3、3’）与所述漂移层（2）在横向方向上分隔，所述第二导电类型的至少一个阱层（5、5’）具有与所述沟道层深度（40）至少同样大的阱层深度（50），并且具有比所述至少一个沟道层（4、4’）更高的掺杂浓度，其中所述至少一个阱层（5、5’）将所述两个源区（3、3’）与所述至少一个阱层的与所述第一侧（12）相反的侧上的所述漂移层（2）分隔，其中 首先施加具有开口的第一掩模（42），然后通过将所述第二导电类型的第一掺杂剂（41）一直施加到所述沟道层深度（40），来形成所述两个沟道层（4、4’），然后在所述第一掩模（42）的所述横向侧上施加另外层，通过所述另外层缩窄所述开口，由此形成第二掩模（32），然后通过将所述第一导电类型的第二掺杂剂（31）一直施加到所述源区深度（30），来形成所述两个源区（3、3’），然后去除所述第二掩模（32）的、布置在所述两个源区（3、3’）之间的这种部分，由此形成第三掩模（52），然后通过将所述第二导电类型的第三掺杂剂（51）一直施加到所述阱层深度（50），来形成所述至少一个阱层（5、5’），(c) 在步骤（b）之后，施加第四掩模，其至少覆盖所述两个源区（3、3’）和所述两个沟道层（4、4’），然后通过施加所述第二导电类型的第四掺杂剂来形成插塞（6），其具有与所述阱层深度（50）至少同样深的插塞深度（60）并且具有比所述至少一个阱层（5、5’）更高的掺杂浓度，(d) 在步骤（c）之后，在所述第一侧（12）上形成两个栅极电极（7），其中的每个通过绝缘层与任何掺杂层分隔，(e) 在步骤（c）之后，在所述第一侧（12）上形成作为欧姆接触的第一主电极（9），其至少接触所述两个源区（3、3’）和所述插塞（6）。