[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备：具有第1主面(10a)以及第2主面(10b)的半导体基板(10)；形成在第1主面的表层的第1区域(14)；与第1区域邻接的漂移区域(12)；比漂移区域浓度高的电荷蓄积区域(13)；以及具有从第1主面在深度方向上延伸并将第1区域及电荷蓄积区域贯通而形成的沟槽(16)、和形成在沟槽的内部的栅极电极(18)的沟槽栅极(15)。沟槽栅极具有栅极电极上被施加栅极电压的主沟槽(15a)、和栅极电极上被施加与主沟槽不同的电压的伪沟槽(15b)。主沟槽和伪沟槽将电荷蓄积区域夹入，伪沟槽与电荷蓄积区域的接触面积(S1)大于主沟槽与电荷蓄积区域的接触面积(S2)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板(10)，具有第1主面(10a)以及作为上述第1主面的背面的第2主面(10b)；第1导电型的第1区域(14)，形成在上述第1主面的表层；第2导电型的漂移区域(12)，邻接于上述第1区域而形成在上述第1区域与上述第2主面之间；第2导电型的电荷蓄积区域(13)，是上述漂移区域的一部分，与上述漂移区域相比杂质浓度较高；沟槽栅极(15)，具有从上述第1主面在上述半导体基板的深度方向上延伸且将上述第1区域及上述电荷蓄积区域贯通而形成的沟槽(16)、和在上述沟槽的内部隔着绝缘膜(17)而形成的栅极电极(18)；以及第2导电型的第2区域(19)，被上述第1区域包围而形成，与上述沟槽栅极接触并且在上述第1主面露出；上述沟槽栅极具有上述栅极电极上被施加栅极电压的主沟槽(15a)、和上述栅极电极上被施加与上述主沟槽不同的电压的伪沟槽(15b)；上述主沟槽和上述伪沟槽将上述电荷蓄积区域夹入，上述伪沟槽与上述电荷蓄积区域的接触面积S1大于上述主沟槽与上述电荷蓄积区域的接触面积S2。