[发明专利]单晶压电层的制造方法和包含该层的微电子、光子或光学器件在审
| 申请号： | 201680081355.5 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108603306A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·吉瑟兰;I·拉杜;J-M·贝斯奥谢 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/22;H01L21/762;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;龚泽亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造作为单晶压电层的层(10)的方法，其特征在于，该方法包括：‑提供所述压电材料的供体衬底(100)，‑提供受体衬底(110)，‑将称为“胚层”(102)的层从所述供体衬底(100)转移至受体衬底(110)，‑对胚层(102)上的压电材料实施外延直至获得单晶压电层(10)所需的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 压电层 单晶 压电材料 供体 胚层 光学器件 光子 微电子 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造作为单晶压电层的层(10)的方法，其特征在于，该方法包括：‑提供所述压电材料的供体衬底(100)，‑提供受体衬底(110)，‑将称为“胚层”(102)的层从所述供体衬底(100)转移至所述受体衬底(110)上，‑对所述胚层(102)上的压电材料实施外延直至获得所述单晶压电层(10)所需的厚度。
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