[发明专利]基板的热处理装置及方法以及基板的接收单元

摘要

本文描述了一种用于对基板，特别是半导体晶片进行热处理的方法及装置，以及一种用于基板的接收单元。在所述方法中，在具有制程室及数个辐射源的制程单元中，将一或数个基板接收在具有下部及顶盖的盒子中，其中所述下部及所述项盖在其间形成用于所述基板的接收空间。在所述方法中，也实施以下步骤：将所述盒子及所述基板装入所述制程室并封闭所述制程室；在将所述盒子及位于其中的所述基板加热至期望的制程温度前，用冲洗气体和/或制程气体对所述盒子的接收空间进行冲洗，以便在所述盒子内部调节期望的气氛；以及通过自所述辐射源所发射的热辐射将所述盒子及位于其中的所述基板加热至期望的制程温度。所述用于基板的接收单元用于在具有制程室及数个辐射源的制程单元中承载所述基板。所述接收单元具有下部及项盖，所述下部及所述项盖在所述封闭状态下在其间形成具有用于所述基板的接收空间的盒子，其中所述接收单元的部件中的至少一个具有数个冲洗开口，所述冲洗开口将所述盒子的周边与所述接收空间连接在一起，以便在所述盒子的封闭状态下对所述接收空间进行冲洗，其中所述冲洗开口以基本防止所述辐射源的热辐射穿过的方式构建。

主权项

1.一种在具有制程室及数个辐射源的制程单元中对基板，特别是半导体晶片进行热处理的方法，其中所述基板被接收在具有下部及顶盖的盒子中，所述下部及所述顶盖在其间形成用于所述基板的接收空间，其特征在于所述方法包括：将所述盒子及所述基板装入所述制程室并封闭所述制程室；在将所述盒子及位于其中的所述基板加热至期望的制程温度前，用冲洗气体及制程气体中的至少其中一种对所述盒子的所述接收空间进行冲洗，以便在所述盒子内部调节期望的气氛；通过自所述辐射源所发射的热辐射将所述盒子及位于其中的所述基板加热至所述期望的制程温度。