[发明专利]微测辐射热计结构有效
| 申请号： | 201680081843.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108885136B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | M·特佩戈兹;T·阿金 | 申请（专利权）人： | 米克罗森斯电子工贸有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;G01J5/20 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 土耳其*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在标准CMOS铸造厂中制造微测辐射热计探测器的方法，系统和设备。该方法包括形成互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，其包括硅衬底层，金属叠层，介电层和嵌入在介电层中的热电转换元件。金属叠层包括至少两个彼此接触的金属层。金属叠层和介电层位于硅衬底层上。热电转换元件配置为将热量转换为电信号。该方法包括蚀刻金属叠层以限定微测辐射热计桥的外侧边缘，该微测辐射热计桥包括介电层的至少一部分和嵌入介电层中的热电转换元件。该方法包括在微测辐射热计桥下方蚀刻硅衬底层。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射热 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造微测辐射热计探测器的方法，该方法包括：形成互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，所述晶片包括硅衬底层，所述硅衬底层上的金属叠层，所述金属叠层包括至少两个彼此接触的金属层，所述硅衬底层上的介电层，以及嵌入在所述介电层中的热电转换元件，所述热电转换元件配置为将热量转换为电信号；蚀刻所述金属叠层以限定微测辐射热计桥的外侧边缘，所述微测辐射热计桥包括至少一部分介电层和嵌入所述介电层中的热电转换元件；以及蚀刻所述微测辐射热计桥下面的硅衬底层。
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