[发明专利]提取和加速离子的空心阴极离子源及方法有效
申请号: | 201680081988.6 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN108699691B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | J·钱伯斯;P·马诗威茨 | 申请(专利权)人: | 北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社;AGC玻璃欧洲公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C4/134;H01J37/063;H05H1/02;H05H1/24;H05H1/54 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;夏青 |
地址: | 美国乔*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种提取和加速离子的离子源和方法。离子源包括腔室。离子源进一步包括第一空心阴极,其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔;以及第二空心阴极,其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔。第一空心阴极和第二空心阴极邻近地设置在腔室中。离子源进一步包括第一离子加速器,其在第一等离子体出口孔与腔室之间并与第一等离子体出口孔和腔室连通。第一离子加速器形成第一离子加速腔。离子源进一步包括第二离子加速器,其在第二等离子体出口孔与腔室之间并与第二等离子体出口孔和腔室连通。第二离子加速器形成第二离子加速腔。第一空心阴极和第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体。 | ||
搜索关键词: | 提取 加速 离子 空心 阴极 离子源 方法 | ||
【主权项】:
1.一种离子源,包括:腔室;第一空心阴极,其具有第一空心阴极腔和第一等离子体出口孔;以及第二空心阴极,其具有第二空心阴极腔和第二等离子体出口孔,所述第一空心阴极和所述第二空心阴极邻近地设置在所述腔室中;第一离子加速器,其在所述第一等离子体出口孔与所述腔室之间并与所述第一等离子体出口孔和所述腔室连通,其中,所述第一离子加速器形成第一离子加速腔;以及第二离子加速器,其在所述第二等离子体孔与所述腔室之间并与所述第二等离子体孔和所述腔室连通,其中,所述第二离子加速器形成第二离子加速腔;其中,所述第一空心阴极和所述第二空心阴极被配置为交替地充当电极和反电极以生成等离子体,并且其中,所述第一离子加速腔和所述第二离子加速腔中的每个足以使得能够提取和加速离子。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的